بنابراین میتوان گفت طراحی با تکنولوژی ۹۰ nm از لحاظ بهره، حاشیه فاز، نرخ سرعت چرخش و همگرایی به خروجی بسیار بهتر است اما دارای توان مصرفی بیشتری نسبت به طراحی با تکنولوژی ۰.۱۸ um می باشد که این مشکل در مقابل مزیت های زیاد این طراحی قابل اغماض است.
(( اینجا فقط تکه ای از متن درج شده است. برای خرید متن کامل فایل پایان نامه با فرمت ورد می توانید به سایت nefo.ir مراجعه نمایید و کلمه کلیدی مورد نظرتان را جستجو نمایید. ))
۴-۹) شبیه سازی و تحلیل مدار تقویت کننده بدون بلوک ABCC
با حذف بلوک مدار ABCC مدار مورد نظر مشاهده کردیم که علی رغم افزایش بعضی از پارامترهای مدار مانند بهره ، مدار بسیار ناپایدار عمل می کند.در ادامه با ارائه شکل نشان خواهیم داد که مدار بدون این بلوک دچار مشکل شده و بدرستی عمل نمی کند.به عنوان مثال با شبیه سازی مدار در تکنولوژی ۹۰nm مشاهده کردیم کمیت SR بسیار پایین می باشد.
در نتیجه با حذف بلوک ABCC جبرانسازی مدار را حذف می شود و سیستم نسبت به تغییرات بسیار کوچک نیز حساس می شودو دچار ناپایداری کامل می شود.
شکل (۴-۱۳) مدار تقویت کننده بدون بلوک ABCC
شکل(۴-۱۴) منحنی حاشیه فاز و بهره مدار تقویت کننده بدون بلوک ABCC با تکنولوژی ۰.۱۸ um
شکل(۴-۱۵) منحنی حاشیه فاز و بهره مدار تقویت کننده بدون بلوک ABCC با تکنولوژی ۹۰ nm
شکل(۴-۱۶) منحنی SR مدار تقویت کننده بدون بلوک ABCC با تکنولوژی ۰.۱۸ um
شکل(۴-۱۷) SR مدار تقویت کننده بدون بلوک ABCC با تکنولوژی ۹۰ nm
جدول (۴-۲) مقایسه پارامترهای حاصل از شبیه سازی مدار تقویت کننده در تکنولوژی های ۰.۱۸ um و ۹۰nm در دوحالت همراه و بدون بلوک ABCC
| حاشیه فاز | بهره | توان مصرفی | ||
| ۶۲ | ۴۰ | ۴۶۶ mw | ۰.۱۸ um | مدار تقویت کننده با ABCC |
| ۸۵ | ۸۰ db | ۲۳۳ mw | ۹۰ nm | |
| ۶۰ | ۴۰ | ۱۶۱ mw | ۰.۱۸ um | مدار تقویت کننده بدون ABCC |
| -۷۰ | ۱۲۵ db | ۹۸ mw | ۹۰ nm | |
نتیجه گیری
با توجه به اهمیت موضوع کاهش توان مصرفی هم چنین سرعت بالا و پایداری سیستم ، مدار تقویت کننده آپ- امپی طراحی کردیم و با بهره گرفتن از نرم افزار Hspice مدار را در دو تکنولوژی ۹۰ و ۱۸۰ نانو در دو حالت همراه و بدون بلوک ABCC مورد تحلیل و بررسی قرار دادیم.
با حذف بلوک مدار ABCC مشاهده کردیم که علی رغم افزایش بعضی از پارامترهای مدار مانند بهره ، مدار بسیار ناپایدار عمل می کند.مدار بدون این بلوک دچار مشکل شده و بدرستی عمل نمی کند.به عنوان مثال با شبیه سازی مدار در تکنولوژی ۹۰nm مشاهده کردیم کمیت SR بسیار پایین می باشد.
نتایج تحقیقات نشان داد مدار تقویت کننده با بهره گرفتن از ABCC ، دامنه دیاگرام Bode آن در تکنولوژی ۰.۱۸ um حدود ۴۰ dB و حاشیه فاز آن تقریبا برابر با ۶۲ درجه می باشد و برای تکنولوژی ۹۰ nm دامنه آن برابر با ۸۰ dB و حاشیه فاز آن برابر با ۸۵ درجه می باشد. بنابراین میتوان گفت طراحی مدار با تکنولوژی ۹۰ nm از لحاظ بهره، حاشیه فاز، نرخ سرعت چرخش وتوان مصرفی قابلیت بهتری را دارا می باشد.
پیوست ها
ب-۱ نت لیست مربوط به مدار تقویت کننده با بلوک ABCC در تکنولوژی ۱۸۰ نانو
#(adaptive biasing current circut(abcc#
********************************************************
********************************************************
